بررسی تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده‌های توان کاربردی در تجهیزات مخابراتی توسط محققان کشور

به گزارش خبرگزاری علم و فناوری آنا،‌ حامد دانشور دانش‌آموخته دکتری دانشگاه صنعتی امیرکبیر و مجری طرح «مدل سازی و تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده توان با ترانزیستور گسسته در محفظه شیلد روزنه دار» با بیان اینکه تقویت کننده توان یکی از بخش‌های اصلی هر تجهیز مخابراتی است، افزود: تأثیرپذیری الکترومغناطیسی این تقویت کننده یکی از مسائل مهم در عملکرد این تجهیزات است.

وی اشاره کرد: پژوهش‌های انجام شده در این حوزه، عملکرد کل مدار تقویت کننده تحت تابش میدان‌های الکتریکی مجاور آن را به صورت همزمان مورد تحلیل قرار نمی دهند. در این پژوهش، عملکرد کل مدار تقویت کننده توان تحت تابش میدان الکتریکی در یک محفظه شیلد روزنه دار به صورت تمام موج تحلیل شد.

محقق دانشگاه صنعتی امیرکبیر اضافه کرد: برای انجام این پژوهش، ابتدا یک تقویت کننده توان با مشخصات موردنظرطراحی گردید و سپس این تقویت کننده برای کاهش اثرات میدان‌های تابشی مجاور درون یک محفظه شیلد روزنه دار قرار گرفت.

وی ادامه داد: در ادامه با تحت تابش قراردادن این محفظه، تأثیرپذیری عملکرد تقویت کننده توان تحلیل شد.

فارغ التحصیل دانشگاه صنعتی امیرکبیر بیان کرد:  با استفاده از نتایج و روش ارائه شده در این پژوهش می توان تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تجهیزات مخابراتی مختلف نظیر موبایل و ماهواره‌های مخابراتی را با دقت بیشتر مورد بررسی قرار داد.

دانشور عنوان کرد: از نتایج حاصل از این پژوهش تاکنون دو مقاله منتشر شده که تمرکز اصلی آن ها روی تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده با تعمیم روش عددی تفاضل محدود حوزه زمان است.

این پژوهشگر دانشگاه صنعتی امیر کبیر،افزود: برای ادامه این پژوهش، با فراهم کردن ترانزیستور مورد استفاده در طراحی تقویت کننده توان موردنظر و ساخت این تقویت کننده، می توان نتایج حاصل از این پژوهش را با نتایج حاصل از اندازه گیری صحت سنجی نمود.

وی با اشاره به ویژگی‌های این پژوهش گفت:دقت بالاتر در تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت توان در مقایسه با روش‌های دیگر و تحلیل های نرم افزاری و همچنین کاهش تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده های توان کاربردی در تجهیزات مخابراتی مختلف به کمک محفظه شیلد روزنه دار از ویژگی های این تحقیق بوده است.